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      武漢東湖新技術開發區華星光電長江存儲一期項目(部分)




       
      長江存儲于2017年成功研發中國首顆32層三維NAND閃存芯片,并獲得中國電子信息博覽會(CITE2018)金獎。這顆芯片,耗資10億美元,由1000人團隊歷時2年自主研發,是中國主流芯片中研發制造水平最接近世界一流的高端存儲芯片,實現了中國存儲芯片“零”的突破。







      項目地址:武漢東湖新技術開發區

      施工面積:1500㎡

      竣工時間:2018年10月









       

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